Memoria microSDXC de 512 GB diseñada para aplicaciones de captura de alta intensidad como drones y cámaras de acción. Ofrece velocidades de lectura secuencial de 180 MB/s y escritura de 150 MB/s, con clasificación V30 U3 A2 que asegura la grabación continua de video 4K sin frames congelados ni interrupciones. La arquitectura NAND TLC incorpora wear leveling avanzado para distribuir el desgaste de escritura de manera uniforme, extendiendo la vida útil del dispositivo. Opera en un rango térmico de -25°C a 85°C y cuenta con resistencia certificada a agua, impactos, vibraciones, rayos X y campos magnéticos, garantizando la integridad de los datos en entornos hostiles.
Características Generales
- Capacidad: 512 GB
- Velocidad de lectura secuencial: 180 MB/s
- Velocidad de escritura secuencial: 150 MB/s
- Clase de velocidad: V30, U3, A2, Clase 10
- Tipo de memoria: NAND TLC
- Wear leveling avanzado
- Rango de temperatura operativa: -25°C a 85°C
- Resistencia: agua, golpes, vibraciones, rayos X, magnetismo, electricidad estática
Desempeño
- Capacidad: 512 GB
- Lectura secuencial: 180 MB/s
- Escritura secuencial: 150 MB/s
- Clase V30
- Clase U3
- Clase A2
- Clase 10
- Memoria NAND TLC
- Wear leveling avanzado
Físicas y Ambientales
- Temperatura operativa: -25°C a 85°C
- Resistencia al agua
- Resistencia a golpes e impactos
- Resistencia a vibraciones
- Resistencia a rayos X
- Resistencia al magnetismo
- Resistencia a electricidad estática
Contenido del Paquete
- Memoria microSDXC HIKSEMI CAPTURE E3 512 GB
Características Generales
- 512 GB para grabación continua de video 4K sin interrupciones
- Velocidad A2 para ejecución fluida de aplicaciones móviles
- Operación estable de -25°C a 85°C en condiciones extremas
- Resistencia a agua, impactos, rayos X y campos magnéticos
- NAND TLC con wear leveling avanzado para mayor longevidad
- Clase V30 U3 garantiza escritura sostenida sin frames perdidos
Especificaciones Físicas y Garantía:
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Especificaciones Técnicas
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