Transistor de silicio NPN diseñado para aplicaciones de alta frecuencia en el rango de 470 MHz, ideal para circuitos de amplificación RF en equipos de comunicaciones, transmisores y receptores. Opera con una tensión de 12.5 Vcc y ofrece una ganancia de 8.0 dB que garantiza amplificación eficaz de señales débiles. Su potencia máxima de 0.75 watt lo hace apto para etapas driver y preamplificadoras. El encapsulado compacto de referencia 79-04 facilita su montaje en diseños con alta densidad de componentes, mientras que su arquitectura optimizada minimiza el consumo energético sin sacrificar rendimiento.
Características Principales
- Transistor NPN de silicio para alta frecuencia
- Frecuencia de operación: 470 MHz
- Tensión operativa: 12.5 Vcc
- Ganancia de potencia: 8.0 dB
- Potencia máxima de salida: 0.75 W
- Encapsulado compacto referencia 79-04
- Diseño optimizado para bajo consumo energético
Especificaciones Técnicas
Tipo de Transistor
NPN de Silicio
Frecuencia Máxima
470 MHz
Tensión de Operación
12.5 Vcc
Ganancia de Potencia
8.0 dB
Potencia Máxima
0.75 W
Encapsulado
79-04 (Compacto)
Aplicaciones Típicas
- Amplificadores de RF en banda UHF
- Etapas driver en transmisores de comunicaciones
- Preamplificadores de señal en receptores
- Circuitos de osciladores controlados por voltaje (VCO)
- Equipos de radioafición y servicios profesionales móviles
Características Generales
- Amplificación eficaz con 8.0 dB de ganancia
- Potencia máxima de 0.75 W para aplicaciones de RF
- Diseño compacto para integración en circuitos densos
- Optimizado para bajo consumo energético
- Operación estable a 470 MHz en banda UHF
- Construcción en silicio para alta confiabilidad
Especificaciones Físicas y Garantía:
📑 Fichas Técnicas & Recursos Descargables
PDF
MRF515
Descargar ➔
